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Rohm bringt kompaktes SiC-Modul mit hoher Leistungsdichte auf den Markt
Der japanische Halbleiterhersteller Rohm hat ein neues kompaktes HSDIP20-Gehäuse mit SiC-MOSFETs der vierten Generation vorgestellt. Die SiC-Module wurden speziell für Automobilanwendungen entwickelt. Die Innovation verspricht mehr Leistung, Zuverlässigkeit und eine einfachere Systemintegration.
