Samsung presenta la nueva memoria V-NAND de 10ª generación con más de 400 capas y 5,6 GT/s para SSD

Los avances que vemos en el mundo del hardware los solemos limitar a los procesadores y tarjetas gráficas principalmente, pero también hay que incluir otros apartados como la memoria. Hablando de esta, vimos hace poco como Micron anunciaba su nuevo nodo EUV llamado 1-gamma que permitía conseguir memoria RAM DDR5 con hasta 9.600 MHz. Además de este tipo de memoria DRAM propia de la RAM, también tenemos la memoria NAND que va destinada a SSD. Ahora Samsung ha anunciado su nueva memoria V-NAND de 10ª Gen que tiene más de 400 capas activas y una capacidad de 1 TB por chip.

Los SSD se han convertido en los dispositivos de almacenamiento más populares, superando con creces las ventas de HDD. Esto se debe a que nos ofrecen una velocidad muchísimo mayor con la memoria NAND Flash si lo comparamos con un disco duro tradicional. Si bien los SSD empezaron a venderse hace años a un precio muy elevado, en la actualidad podemos adquirir un SSD de 1 TB por un precio algo superior a un HDD de 1 TB y según vamos subiendo la capacidad, es cuando nos encontramos mayores diferencias de precio, siempre a favor de los HDD.

Samsung anuncia la memoria V-NAND de 10ª Gen con más de 400 capas activas, ofreciendo así un incremento del 38% de capas respecto a la pasada generación con 290

Los primeros SSD apenas ofrecían 128 GB o 256 GB a precios altísimos, lo que provocaron que fuesen considerados como algo de nicho y solo apto para entusiastas. Sin embargo, desde hace unos años, tenemos disponibles SSD de 4 y hasta 8 TB con mucha más capacidad que antes, mayor velocidad y precios más bajos. Esto es debido a los avances que realizan las principales marcas como Samsung en el sector, pues no por nada es la compañía más importante en cuanto a la memoria.

En abril de 2024, Samsung anunció la memoria V-NAND de 9ª generación con 290 capas activas, suponiendo así una mejora del 50% de la densidad, un aumento de velocidad del 33% y un 10% menos consumo energético que la generación previa. En menos de un año, tenemos a Samsung de vuelta con su V-NAND de décima generación, la cual tiene más de 400 capas activas y ofrece una serie de mejoras. Tenemos así una densidad de 28 GB/mm^2, una velocidad de interfaz I/O de hasta 5,6 GT/s (5.600 GT/s) y una capacidad de 1 TB por chip con arquitectura TLC.

La nueva generación ofrece una densidad un 65% superior y una velocidad un 75% mayor

Para que podamos ver las mejoras, tenemos una tabla comparativa en Tom's Hardware donde podemos ver que la novena generación de V-NAND de Samsung ofrecía 17 GB/mm^2, 1 TB por chip, 290 capas y hasta 3.200 MT/s. Así pues, con la 10ª Gen logramos un +65% en densidad, al menos un +38% más de capas y un +75% de velocidad de interfaz en menos de un año. De hecho, esto supera ampliamente a los valores que consiguió YMTC (la más grande en China) con su memoria NAND de 232 capas anunciada hace poco.

También supera a la novena generación de Micron que alcanza una densidad de 21 GB/mm^2 con 276 capas y 3.600 MT/s. SK Hynix se considera la segunda empresa más importante en el sector de la memoria y tiene una novena generación con 321 capas, pero una densidad de 20 GB/mm^2. Como podemos ver, ninguna se acerca a los valores de densidad, capas y velocidad de lo último de Samsung. Donde si la superan es en capacidad, pues Kioxia/Sandisk con BiCS 8 en su día lograron 2 TB por chip.

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