Создана самая быстрая флеш-память с записью 400 пикосекунд
В 2500 раз быстрее лучшей DRAM. Ученые из Университета Фудань представили революционный чип памяти PoX (Phase-change Oxide), способный записывать и считывать данные всего за 400 пикосекунд (одна триллионная секунды). Это в тысячи раз быстрее, чем современные SSD и оперативная память, и открывает новые возможности для ИИ, суперкомпьютеров и мобильных устройств. Скорость работы памяти — основное ограничение в современных вычислениях. Существующие технологии делятся на два типа: Быстрые, но энергозависимые (DRAM, SRAM) — теряют данные при отключении питания;Медленные, но энергонезависимые (флеш-память в SSD) — сохраняют информацию, но работают в микросекундах, что слишком медленно для ИИ. PoX объединяет оба преимущества: Энергонезависимость — данные не стираются без питания;Скорость 400 пикосекунд — в 2500 раз быстрее лучшей DRAM;Низкое энергопотребление — критично для мобильных устройств и дата-центров. Команда профессора Чжоу Пэна радикально изменила структуру памяти. Вместо кремния использован двумерный графен Дирака, обеспечивающий сверхбыстрое движение зарядов. Также ученые применили метод 2D-суперинжекции, устраняющий «тормоза» обычной памяти. Алгоритмы ИИ помогли оптимизировать производственный процесс.
В 2500 раз быстрее лучшей DRAM.
Ученые из Университета Фудань представили революционный чип памяти PoX (Phase-change Oxide), способный записывать и считывать данные всего за 400 пикосекунд (одна триллионная секунды). Это в тысячи раз быстрее, чем современные SSD и оперативная память, и открывает новые возможности для ИИ, суперкомпьютеров и мобильных устройств.
Скорость работы памяти — основное ограничение в современных вычислениях. Существующие технологии делятся на два типа: Быстрые, но энергозависимые (DRAM, SRAM) — теряют данные при отключении питания;Медленные, но энергонезависимые (флеш-память в SSD) — сохраняют информацию, но работают в микросекундах, что слишком медленно для ИИ.
PoX объединяет оба преимущества: Энергонезависимость — данные не стираются без питания;Скорость 400 пикосекунд — в 2500 раз быстрее лучшей DRAM;Низкое энергопотребление — критично для мобильных устройств и дата-центров.
Команда профессора Чжоу Пэна радикально изменила структуру памяти. Вместо кремния использован двумерный графен Дирака, обеспечивающий сверхбыстрое движение зарядов. Также ученые применили метод 2D-суперинжекции, устраняющий «тормоза» обычной памяти. Алгоритмы ИИ помогли оптимизировать производственный процесс.
