Samsung перейдет на гибридное соединение для памяти HBM4
Samsung объявила о планах внедрить технологию гибридного соединения при производстве памяти нового поколения HBM4. Такое решение компания представила на форуме AI Semiconductor в Сеуле. Основная цель — повысить плотность соединений между кристаллами памяти и снизить тепловую нагрузку.
Samsung объявила о планах внедрить технологию гибридного соединения при производстве памяти нового поколения HBM4. Такое решение компания представила на форуме AI Semiconductor в Сеуле. Основная цель — повысить плотность соединений между кристаллами памяти и снизить тепловую нагрузку.
