Создан инновационный материал для субмикронной электроники
Ученые ТюмГУ, УрФУи ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН совместно с немецкими коллегами впервые экспериментально получили две полиморфные модификации слоистого четверного теллурида. Такие структуры имеют большой потенциал применения для технических приложений в субмикронной электронике — технологии производства полупроводниковой продукции с субмикронными размерами элементов.
Ученые ТюмГУ, УрФУи ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН совместно с немецкими коллегами впервые экспериментально получили две полиморфные модификации слоистого четверного теллурида. Такие структуры имеют большой потенциал применения для технических приложений в субмикронной электронике — технологии производства полупроводниковой продукции с субмикронными размерами элементов. 
