Разрабатывается новая сегнетоэлектрическая память DRAM+ с применением оксида гафния

Сегнетоэлектрическая память сочетает высокую производительность DRAM с энергонезависимостью.

Похожие записи

Комментарии

Имя

Электронная Почта

Комментарий

Оставить комментарий