Инженеры MIT преодолели ограничения традиционных терагерцовых генераторов
Исследователи Массачусетского технологического института (MIT) разработали полупроводниковый чип для генерации терагерцовых волн без использования громоздких кремниевых линз. Новая технология открывает путь к созданию компактных электронных устройств с расширенными возможностями передачи данных и визуализации. Терагерцовые волны, располагающиеся в электромагнитном спектре между радиоволнами и инфракрасным излучением, обладают уникальными свойствами. Их более высокие частоты позволяют передавать больше информации в секунду по сравнению с радиоволнами, при этом они способны безопасно проникать через широкий спектр материалов. Прикрепив тонкий лист диэлектрика к задней части чипа, выделенного в центре и показанного на слева, исследователи создали более эффективный и масштабируемый генератор терагерцовых волн на основе чипа. Источник: Massachusetts Institute of Technology Группа учёных под руководством Джинчена Ванга применила инновационный подход к решению давней проблемы потери мощности сигнала на границе кремния и воздуха. Вместо традиционных кремниевых линз исследователи использовали тонкий лист материала с особыми диэлектрическими свойствами, прикреплённый к обратной стороне чипа. Для достижения оптимальных характеристик в материале были проделаны микроскопические отверстия с помощью лазерной резки. Разработанный чип, использующий специальные транзисторы Intel с повышенной максимальной частотой, демонстрирует рекордную пиковую мощность излучения в 11,1 децибел-милливатт. Это достижение особенно важно, учитывая компактность устройства и возможность его массового производства. Новая технология может найти применение в создании терагерцовых массивов для усовершенствованных сканеров безопасности и систем мониторинга загрязнения воздуха. В настоящее время исследователи работают над демонстрацией масштабируемости технологии путём создания фазированной решётки терагерцовых источников.
Исследователи Массачусетского технологического института (MIT) разработали полупроводниковый чип для генерации терагерцовых волн без использования громоздких кремниевых линз. Новая технология открывает путь к созданию компактных электронных устройств с расширенными возможностями передачи данных и визуализации.
Терагерцовые волны, располагающиеся в электромагнитном спектре между радиоволнами и инфракрасным излучением, обладают уникальными свойствами. Их более высокие частоты позволяют передавать больше информации в секунду по сравнению с радиоволнами, при этом они способны безопасно проникать через широкий спектр материалов.
Группа учёных под руководством Джинчена Ванга применила инновационный подход к решению давней проблемы потери мощности сигнала на границе кремния и воздуха. Вместо традиционных кремниевых линз исследователи использовали тонкий лист материала с особыми диэлектрическими свойствами, прикреплённый к обратной стороне чипа. Для достижения оптимальных характеристик в материале были проделаны микроскопические отверстия с помощью лазерной резки.
Разработанный чип, использующий специальные транзисторы Intel с повышенной максимальной частотой, демонстрирует рекордную пиковую мощность излучения в 11,1 децибел-милливатт. Это достижение особенно важно, учитывая компактность устройства и возможность его массового производства.
Новая технология может найти применение в создании терагерцовых массивов для усовершенствованных сканеров безопасности и систем мониторинга загрязнения воздуха. В настоящее время исследователи работают над демонстрацией масштабируемости технологии путём создания фазированной решётки терагерцовых источников.
